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焦作市安信輕合金科技有限公司

　　1. 高電壓鎂犧牲陽G

　　鎂為活潑金屬，其電化學(xué)性能受雜質(zhì)和合金元素的影響很大。當(dāng)其含有少量雜質(zhì)，特別是含有析氫過電位較低的雜質(zhì)時，會使鎂的自溶傾向加大，電流效率降低。鎂中的一些雜質(zhì)元素，如Fe, Co, Mn是以單質(zhì)的形式固溶于鎂基體中的，而另一些雜質(zhì)，如Al, Zn, Ni, Cu等元素則易與鎂形成金屬間化合物，無論哪類雜質(zhì)元素，它們相對于鎂固溶體都呈現(xiàn)出強烈的陰G性，能加大析氫的實用面積，進一步加大鎂的腐蝕速度。盡可能降低純鎂陽G中雜質(zhì)元素的含量是必要的。雜質(zhì)元素的質(zhì)量分數(shù),應(yīng)控在:Zn<0.03. Mn<0.01. Fe<0.02, Ni<0.001 } Cu<0.001. Si<0.01.但這給純鎂陽G的生產(chǎn)帶來了困難。一般采用合金化方法，向工業(yè)鎂中加入一定量的合金元素如Mn, Al, Zn等，就可去除雜質(zhì)元素的不好影響，獲得性能優(yōu)良的鎂合金犧牲陽G材料。一般的純鎂陽G由于電流效率很低(僅為百分之30左右)，使用壽命短，故目前己很少使用。

　　2. Mg-A1-Zn-Mn犧牲陽G

　　根據(jù)鋁和鋅的含量不同，性能不同，其中性能較好和獲得廣泛應(yīng)用的主要是Mg-6Al-3Zn-Mn合金，其表面溶解均勻，電流效率大于50％.鋁是陽G中的主要合金元素，可與鎂形成Mg17 A112強化相，提高合金的強度。但向工業(yè)鎂中單獨添加鋁時，可形成大量的Mg Al, Mg2A13, Mg4 A13等金屬間化合物，這些金屬間化合物的存在，都會加大鎂的自腐蝕速度、加速固溶體的破壞。鋅可降低鎂的腐蝕率，減小鎂的負差異效應(yīng)，提高陽G電流效率。微量的錳可抵消雜質(zhì)鐵、鎳的不好影響。當(dāng)錳的添加量為百分之0.3時，可使鐵的允許含量達到百分之0.02，但同時也會降低電流效率。因此，雜質(zhì)鐵的含量以及相應(yīng)的錳含量應(yīng)盡可能低。鋁、鋅、錳的同時存在可進一步降低對工業(yè)鎂中的雜質(zhì)元素含量的要求。為了獲得良好的電化學(xué)性能，Mg-AI-Zn-Mn系合金的雜質(zhì)含量應(yīng)嚴(yán)格控制。在相近的合金成分條件下，雜質(zhì)少的合金的電流效率明顯高于含雜質(zhì)多的合金。

　　陰G保護是基于電化學(xué)腐蝕原理的一種防腐蝕手段。美國腐蝕工程師協(xié)會對陰G保護的定義是：通過施加外加的電動勢把電G的腐蝕電位移向氧化性較低的電位而使腐蝕速率降低。犧牲陽G陰G保護就是在金屬構(gòu)筑物上連接電位較負的金屬,如鋁、鋅或鎂。陽G材料不斷消耗,釋放出的電流供給被保護金屬構(gòu)筑物而陰GG化，從而實現(xiàn)保護。外加電流陰G保護是通過外加直流電源向被保護金屬通以陰G電流，使之陰GG化。該方式主要用于保護大型或處于高土壤電阻率土壤中的金屬結(jié)構(gòu)。

　　保護電位是指陰G保護時使金屬腐蝕停止（或可忽略）時所需的電位。實踐中，鋼鐵的保護電位常取-0.85V（CSE），也就是說，當(dāng)金屬處于比-0.85V（CSE）更負的電位時，該金屬就受到了保護，腐蝕可以忽略。

　　化學(xué)反應(yīng)方程式

　　陽G反應(yīng)：Mg－2e→Mg2＋

　　陰G反應(yīng)：H2O+ O2+2e →2OH－

　　鎂犧牲陽G的作用是使陰G（如鋼鐵等金屬）的腐蝕速率降低，達到保護陰G的目的。

　　鎂合金保護陰G的基本前提是陰G在沒有外加干擾的情況下的腐蝕屬于電化學(xué)腐蝕（即腐蝕的過程有電流產(chǎn)生），但并不是所有的電化學(xué)腐蝕都能用犧牲陽G來保護，具體的應(yīng)用過程中應(yīng)具備以下條件：

　　1）腐蝕介質(zhì)一定是能導(dǎo)電的，以便能建立連續(xù)的電路。

　　2）被保護的金屬材料所處的介質(zhì)中要容易進行陰G化，否則耗電量大，不易進行陰G保護。

　　3）對于復(fù)雜的金屬設(shè)備或構(gòu)筑物，要考慮幾何上的PINBI作用，防止保護電流的不均勻性。

　　4）電絕緣（陰陽G之間）

　　5）電連續(xù)性（陰G系統(tǒng)間）

　　6）罐內(nèi)保護禁止用鎂合金犧牲陽G。

　　根據(jù)用途的不同，鎂合金犧牲陽G的形狀和尺寸也不相同，通常所用的D、S型陽G主要用在土壤環(huán)境中，帶狀陽G主要應(yīng)用于高電阻率的土壤、淡水及空間狹窄的局部場合